> > > > > deep-level-defects-in-electronirradiated-aluminum-gallium-nitride-grown-by-molecular-beam-epitaxy

Michael R Hogsed - Deep Level Defects In Electron-irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown By Molecular Beam Epitaxy

Het boek Deep Level Defects In Electron-irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown By Molecular Beam Epitaxy van de auteur Michael R Hogsed is 1 maal gevonden, 1 maal nieuw en 0 maal tweedehands. "Deep Level Defects In Electron-irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown By Molecular Beam Epitaxy" is nieuw te koop vanaf € 52,99 bij Bol.com.

Nieuw (1) vanaf € 52,99 bij Bol.com Toon 1 nieuw boek
Bent u de schrijver van dit boek of weet u iets over deze auteur?

Omero.nl is druk bezig om informatie over auteurs toe te voegen. Neem contact met ons op via support@omero.nl om een auteursprofiel aan te maken met een foto, biografie, website adres en sociale media links.
Nieuw
We hebben 1 nieuw boek gevonden
Deep Level Defects In Electron-irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown By Molecular Beam Epitaxy

Type: Paperback
ISBN: 9781286861233
Levertijd: 19

Aanbieder:
€ 52,99
Bekijk boek